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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF250 | INFINEON |
功能相似  |
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AE package - A IRF250 with Hermetic Packagi |
|
| JANTX2N6766 | MICROSEMI |
功能相似 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
|
| IRF250 | INTERSIL |
功能相似 |
30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF251R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE |
|
| IRF252 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
|
| IRF252 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF252 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 200V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF2525 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF252R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 200V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF253 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
|
| IRF253 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF253 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
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