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IRF250

更新时间： 2024-02-24 22:07:46

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7页	61K
描述
30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRF250 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	88 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF250 数据手册

IRF250

Data Sheet

March 1999

File Number 1825.3

30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel

Power MOSFET

Features

• 30A, 200V

• r = 0.085Ω

This N-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld

effect transistor is designed, tested and guaranteed to

withstand a speciﬁed level of energy in the breakdown

avalanche mode of operation. These MOSFETs are

designed for applications such as switching regulators,

switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers

for high power bipolar switching transistors requiring high

speed and low gate drive power. They can be operated

directly from integrated circuits.

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

Formerly developmental type TA09295.

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

PACKAGE

BRAND

IRF250

TO-204AE

NOTE: When ordering, include the entire part number.

Packaging

JEDEC TO-204AE

TOP VIEW

DRAIN

(FLANGE)

SOURCE (PIN 2)

GATE (PIN 1)

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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