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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6766 | MICROSEMI |
功能相似  |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JANTXV2N6766 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF2525 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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| IRF252R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET 200V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF253 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF253 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRF253 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF253 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
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| IRF253R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE |
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| IRF254 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series |
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| IRF254 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF255 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA |
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