5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF2805LPBF
IRF2805LPBF PDF预览

IRF2805LPBF

更新时间： 2024-11-30 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
11页 306K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF2805LPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64Is Samacsys：N
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IRF2805LPBF 数据手册

 浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF2805LPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95944  
IRF2805SPbF  
IRF2805LPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Typical Applications  
l
l
l
l
l
ClimateControl  
ABS  
Electronic Braking  
WindshieldWipers  
Lead-Free  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
Features  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
R
DS(on) = 4.7mΩ  
G
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
ID = 135A†  
S
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
siliconarea. Additionalfeaturesofthisproduct area175°C  
junction operating temperature, fast switching speed and  
improved repetitive avalanche rating . These features com-  
bine to make this design an extremely efficient and reliable  
deviceforuseinAutomotiveapplicationsandawidevariety  
of other applications.  
D2Pak  
IRF2805SPbF  
TO-262  
IRF2805LPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
135†  
96†  
700  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
200  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
380  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Valueˆ  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (6 sigma)  
1220  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
2.0  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient(PCB Mounted, steady state)**  
HEXFET(R) is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
11/16/04  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRF2805LPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF2805L INFINEON

类似代替

 Advanced Planar Technology
AUIRF1405ZL INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRF2805LPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF2805PBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805S INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF2805SPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF2805STRLPBF INFINEON

获取价格

 		Industrial Motor Drive
IRF2805STRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF2807 FREESCALE

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF2807 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)
IRF2807L INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF2807LPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET

与IRF2805LPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证