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IRF2807

更新时间： 2024-11-30 22:48:07
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 208K
描述
Power MOSFET(Vdss=75V, Id=82A)

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IRF2807 数据手册

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PD - 91517  
IRF2807  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 75V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 13mΩ  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 82A‡  
S
Description  
AdvancedHEXFET® PowerMOSFETsfromInternational  
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylowon-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 watts. The low thermal  
resistance and low package cost of the TO-220 contribute  
to its wide acceptance throughout the industry.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
82‡  
58  
A
280  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
230  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.5  
VGS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Avalanche Current  
43  
23  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.9  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.65  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/16/01  
12345678

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IRF2807 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SUP85N10-10-E3 VISHAY

功能相似

 Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
AUIRF2807 INFINEON

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IRF512 HARRIS

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 4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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IRF2807L INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF2807LPBF KERSEMI

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 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRF2807PBF INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF2807S INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF2807SPBF KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
IRF2807SPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF2807STRL INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF2807STRLPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRF2807STRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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