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IRF280ZSTRL

更新时间： 2024-09-26 21:16:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	399K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF280ZSTRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.66	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0094 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF280ZSTRL 数据手册

PD - 95488A

IRF2807ZPbF

IRF2807ZSPbF

Features

IRF2807ZLPbF

Advanced Process Technology

HEXFET^®Power MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

175°C Operating Temperature

Fast Switching

V_DSS= 75V

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

R_DS(on)= 9.4mΩ

I_D= 75A

Description

ThisHEXFET^®PowerMOSFETutilizesthelatest

processing techniques to achieve extremely low

on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures

of this design are a 175°C junction operating

temperature, fast switching speed and improved

repetitive avalanche rating. These features

combinetomakethisdesignanextremelyefficient

and reliable device for use in a wide variety of

applications.

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRF2807ZPbF

IRF2807ZSPbF IRF2807ZLPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (See Fig. 9)

(Package Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

350

170

@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

1.1

± 20

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

160

200

_AS(tested)

Avalanche Current

I_AR

E_AR

See Fig.12a,12b,15,16

Repetitive Avalanche Energy

°C

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.90

–––

Units

°C/W

R_θ

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.50

–––

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

www.irf.com

07/22/10

12 3 4 5 6 7...12

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与IRF280ZSTRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF280ZSTRR	INFINEON	获取价格	75A, 75V, 0.0094ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3
IRF28D	ETC	获取价格	Analog IC
IRF28S	ETC	获取价格	Analog IC
IRF2903Z	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZL	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF2903ZLPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2903ZLTRLPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF2903ZLTRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRF2903ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2903ZS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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