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JANTXV2N6766

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1006K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

JANTXV2N6766 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BFM包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.18
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-3JESD-30 代码:O-MBFM-P2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JANTXV2N6766 数据手册

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JANTXV2N6766 替代型号

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