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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-39, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 0.82 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.5 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/556 |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6786U | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTOR |
|
| JANTXV2N6786U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| JANTXV2N6788 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=6.0A) |
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| JANTXV2N6788U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| JANTXV2N6790 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=3.5A) |
|
| JANTXV2N6790U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| JANTXV2N6792 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A) |
|
| JANTXV2N6792 | RENESAS |
获取价格 |
2A, 400V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| JANTXV2N6792U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 2.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANTXV2N6794 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=1.5A) |
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