5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTXV2N6796U
JANTXV2N6796U PDF预览

JANTXV2N6796U

更新时间： 2024-02-17 17:04:54
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 201K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTXV2N6796U 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15针数：18
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.2其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：134 mJ外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.207 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CQCC-N15
元件数量：1端子数量：15
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/557表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N6796U 数据手册

 浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANTXV2N6796U的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91666B  
IRFE130  
JANTX2N6796U  
JANTXV2N6796U  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
[REF:MIL-PRF-19500/557]  
100V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRFE130  
100V  
0.18Ω  
8.0A  
LCC-18  
The leadless chip carrier (LCC) package represents the  
logical next step in the continual evolution of surface  
mount technology. Desinged to be a close replacement  
for the TO-39 package, the LCC will give designers the  
extra flexibility they need to increase circuit board den-  
sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-  
age to meet the specific needs of the power market by  
increasing the size of the bottom source pad, thereby  
enhancing the thermal and electrical performance. The  
lid of the package is grounded to the source to reduce  
RF interference.  
Features:  
!
!
!
!
!
!
!
!
Surface Mount  
Small Footprint  
Alternative to TO-39 Package  
Hermetically Sealed  
Dynamic dv/dt Rating  
Avalanche Energy Rating  
Simple Drive Requirements  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
8.0  
5.0  
32  
25  
0.17  
±20  
134  
-
D
D
GS  
GS  
C
A
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
D
C
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
GS  
E
AS  
I
E
AR  
-
AR  
dv/dt  
8.3  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5 S)  
0.42(typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
1/17/01  
1234567

中文翻译

下载PDF

JANTXV2N6796U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6796U INFINEON

完全替代

 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE130 INFINEON

完全替代

 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTXV2N6796 INFINEON

功能相似

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=8.0A)

与JANTXV2N6796U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6798 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6798 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.5A)
JANTXV2N6798E3 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6798U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTXV2N6800 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6800 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)
JANTXV2N6800E3 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6800U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED
JANTXV2N6802 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.5A)
JANTXV2N6802 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

与JANTXV2N6796U相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证