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JANTXV2N6902 PDF预览

JANTXV2N6902

更新时间： 2024-02-17 17:48:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
24页 160K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA

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JANTXV2N6902 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3包装说明：TO-3, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.92Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-204AAJESD-30 代码：O-MBFM-P2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：750 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/566B
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N6902 数据手册

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The documentation and process  
conversion measures necessary to  
comply with this revision shall be  
completed by 26 March 1998.  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/556F  
24 December 1997  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/556E  
9 December 1994  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL, SILICON  
TYPES 2N6782, 2N6782U, 2N6784, 2N6784U, 2N6786, AND 2N6786U  
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for an N-channel, enhancement-mode, MOSFET, power  
transistor. Three levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500. Two  
levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 [similar to TO-205AF (formerly TO-39)], figure 3 (LCC), and figures 4 and 5 for JANHC and  
JANKC die dimensions.  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25 C.  
A
Type  
3/  
P
C
1/  
P
V
V
V
I
2/  
I
2/  
I
S
I
T and  
J
T
T
DS  
DG  
GS  
D1  
= +25 C  
D2  
DM  
T
= +25 C  
T
= +25 C  
T
T
= +100 C  
T
A
C
C
STG  
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
A dc  
A(pk)  
C
2N6782  
2N6784  
2N6786  
15  
15  
15  
0.8  
0.8  
0.8  
100  
200  
400  
100  
200  
400  
20  
20  
20  
3.50  
2.25  
1.25  
2.25  
1.50  
0.80  
3.50  
2.25  
1.25  
14.0  
9.0  
5.5  
-55 to +150  
-55 to +150  
-55 to +150  
1/ Derate linearly 0.12 W/ C for T > +25 C.  
T
- T  
J max C  
C
PT =  
R
JC  
-
TJ( max ) TC  
x ( at  
TJ( max )  
=
I D  
(
RθJX)  
RDS(on)  
2/  
3/ Electrical characteristics for "U" suffix devices are identical to the corresponding non"U" suffix devices unless otherwise specified.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad St., Columbus, OH  
43216-5000, by using the addressed Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this  
document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...24

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与JANTXV2N6902相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6904 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-204AA
JANTXV2N6968 RENESAS

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JANTXV2N6987 MICROSEMI

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