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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 28 A | 最大漏源导通电阻： | 0.125 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 112 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N7218U | INFINEON |
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100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7218U with Hermetic Pac |
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| JANTXV2N7219 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| JANTXV2N7219D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANTXV2N7219U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| JANTXV2N7221 | INFINEON |
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400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - A JANTXV2N7221 with Hermetic P |
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| JANTXV2N7221D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTXV2N7221U | INFINEON |
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400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7221U with Hermetic Pac |
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| JANTXV2N7221UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JANTXV2N7222 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| JANTXV2N7222U | INFINEON |
获取价格 |
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7222U with Hermetic Pac |
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