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JANTXV2N6987U

更新时间： 2024-01-11 11:53:13

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
22页	135K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| LLCC

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JANTXV2N6987U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CHIP CARRIER, S-CQCC-N20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	S-CQCC-N20	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	20
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	300 ns
最大开启时间（吨）：	45 ns	Base Number Matches：	1

JANTXV2N6987U 数据手册

INCH-POUND

The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 14 April 2002.

MIL-PRF-19500/558D

14 January 2002

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/558C

31 August 1998

PERFORMANCE SPECIFICATION

SEMICONDUCTOR DEVICE, FOUR TRANSISTOR ARRAY,UNITIZED,

PNP, SILICON, SWITCHING TYPES 2N6987, 2N6987U, AND 2N6988,

JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, switching transistors, four

independent chip array. Four levels of product assurance are provided for each device type as specified in

MIL-PRF-19500.

1.2 Physical dimensions. See figures 1, 2, 3, and 4 (14-pin dual-in-line, 14-pin flat-pack, and 20-pin leadless

chip carrier) and 3.4.

1.3 Maximum ratings. (1)

CBO

(3)

EBO

(3)

CEO

(3)

and T

STG

T = +25°C (2)

V dc

mA dc

°C

2N6987

2N6987U

2N6988

1.5

1.0

0.4

600

-65 to +200

(1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 V dc.

(2) Derate linearly 8.57 mW/°C above T = +25°C for 2N6987 and 5.71 mW/°C for 2N6987U.

Derate linearly 2.286 mW/°C above T = +25°C for 2N6988. Ratings apply to total package.

(3) Ratings apply to each transistor in the array.

Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving

this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P. O. Box 3990,

Columbus, OH 43216- 5000, by using Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at

the end of the document or by letter.

AMSC N/A

FSC 5961

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

12 3 4 5 6 7...22

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与JANTXV2N6987U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N6988	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-86,
JANTXV2N6988	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANTXV2N6989	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116,
JANTXV2N6989U		获取价格	Surface Mount Quad NPN Transistor
JANTXV2N6990	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| FP
JANTXV2N6990U	ETC	获取价格	BJT
JANTXV2N718A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N720A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N7218	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
JANTXV2N7218D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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