Datasheet > JANTXV2N6988

JANTXV2N6988

更新时间： 2024-11-25 20:17:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC, FP-14

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JANTXV2N6988 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F14
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.26	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-CDFP-F14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/558D
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

JANTXV2N6988 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JANTXV2N6988 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JAN2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
2N6988	MICROSEMI	完全替代	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JANTXV2N6988相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N6989	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116,
JANTXV2N6989U		获取价格	Surface Mount Quad NPN Transistor
JANTXV2N6990	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| FP
JANTXV2N6990U	ETC	获取价格	BJT
JANTXV2N718A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N720A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N7218	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
JANTXV2N7218D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANTXV2N7218U	INFINEON	获取价格	100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - A JANTXV2N7218U with Hermetic Pac
JANTXV2N7219	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

与JANTXV2N6988相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

41
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N6988

JANTXV2N6988 技术参数

JANTXV2N6988 数据手册

JANTXV2N6988 替代型号

与JANTXV2N6988相关器件

与JANTXV2N6988相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JANTXV2N6988

JANTXV2N6988 技术参数

JANTXV2N6988 数据手册

JANTXV2N6988 替代型号

与JANTXV2N6988相关器件

与JANTXV2N6988相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？