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JANS2N6988

更新时间： 2024-02-14 16:12:42

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	56K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14

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JANS2N6988 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82

JANS2N6988 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

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JANS2N6988 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANTX2N6988	MICROSEMI	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N6988	MICROSEMI	完全替代	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

与JANS2N6988相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANS2N6989	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6989U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JANS2N6990	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| FP
JANS2N7224	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
JANS2N7225	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7227	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7228	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
JANS2N7236	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANS2N7236D	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
JANS2N7236U	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)

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