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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 66 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.92 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/562 | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF9240E | INFINEON |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9240EA | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6845 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A) |
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| JANTXV2N6845U | INFINEON |
获取价格 |
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANTXV2N6845U with Hermet |
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| JANTXV2N6847 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-2.5A) |
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| JANTXV2N6847U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTXV2N6849 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
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| JANTXV2N6849U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
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| JANTXV2N6851 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A) |
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| JANTXV2N6851U | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18) |
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| JANTXV2N6896 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA |
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| JANTXV2N6898 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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