JANTXV2N6851U

更新时间： 2024-11-25 05:11:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

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JANTXV2N6851U 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
雪崩能效等级（Eas）：	171 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	1.68 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/564	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JANTXV2N6851U 数据手册

PD - 91717B

IRFE9230

JANTX2N6851U

JANTXV2N6851U

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

SURFACE MOUNT (LCC-18)

[REF:MIL-PRF-19500/564]

200V, P-CHANNEL

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE9230

-200V

0.80Ω

-4.0A

LCC-18

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

-4.0

-2.4

-16

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

V/ns

0.20

±20

171

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

-1.1

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

01/17/01

12 3 4 5 6 7

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JANTXV2N6851U 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX2N6851U	INFINEON	完全替代	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE9230	INFINEON	完全替代	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTX2N6851	INFINEON	类似代替	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)

与JANTXV2N6851U相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N6896	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA
JANTXV2N6898	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-204AE
JANTXV2N6902	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-204AA
JANTXV2N6904	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-204AA
JANTXV2N6968	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,7.5A I(D),TO-213AA
JANTXV2N6987	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,
JANTXV2N6987U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| LLCC
JANTXV2N6988	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-86,
JANTXV2N6988	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANTXV2N6989	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-116,

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