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JANTXV2N6847

更新时间： 2024-02-06 06:48:50

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英飞凌 - INFINEON		/
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6页	203K
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POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-2.5A)

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JANTXV2N6847 技术参数

是否无铅：	含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数：	18	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	2.1 A	最大漏源导通电阻：	1.725 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N15
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.4 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	MIL-19500/563
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

JANTXV2N6847 数据手册

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Provisional Data Sheet No. PD-9.553B

JANTX2N6847

JANTXV2N6847

[REF:MIL-PRF-19500/563]

HEXFET^®POWER MOSFET

[GENERIC:IRFF9220]

P-CHANNEL

-200 Volt, 1.5Ω HEXFET

Product Summary

Part Number

JANTX2N6847

JANTXV2N6847

BVDSS

RDS(on)

HEXFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-

tors. The efficient geometry achieves very low on-

state resistance combined with high transconductance.

-200V

1.5Ω

-2.5A

HEXFET transistors also feature all of the well-es-

tablish advantages of MOSFETs, such as voltage

control, very fast switching, ease of paralleling and

electrical parameter temperature stability. They are

well-suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio

amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-

ally any application where high reliability is required.

Features:

■ Avalanche Energy Rating

■ Dynamic dv/dt Rating

■ Simple Drive Requirements

■ Ease of Paralleling

■ Hermetically Sealed

Absolute Maximum Ratings

Parameter

JANTX2N6847, JANTXV2N6847 Units

@ V

= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current

-2.5

@ V

= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current

-1.6

-10

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Peak Diode Recovery dv/dt ➂

Operating Junction

@ T = 25°C

W/K ➄

0.16

dv/dt

±20

-5.0

V/ns

-55 to 150

Storage Temperature Range

Lead Temperature

STG

(0.063 in. (1.6mm) from

300

^oC

case for 10.5 seconds)

0.98 (typical)

Weight

To Order

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTXV2N6847U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTXV2N6849	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)
JANTXV2N6849U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
JANTXV2N6851	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.0A)
JANTXV2N6851U	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
JANTXV2N6896	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA
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JANTXV2N6902	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-204AA
JANTXV2N6904	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-204AA
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