5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTXV2N6800U
JANTXV2N6800U PDF预览

JANTXV2N6800U

更新时间： 2024-09-23 11:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANTXV2N6800U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：0.51 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：1.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CQCC-N15
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/557
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTXV2N6800U 数据手册

 浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANTXV2N6800U的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 9.1718A  
IRFE330  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6800U  
HEXFET® TRANSISTOR  
JANTXV2N6800U  
[REF:MIL-PRF-19500/557]  
N-CHANNEL  
Product Summary  
400Volt, 1.0Ω, HEXFET  
The leadless chip carrier (LCC) package represents  
the logical next step in the continual evolution of  
surface mount technology. The LCC provides  
designers the extra flexibility they need to increase  
circuit board density. International Rectifier has  
engineered the LCC package to meet the specific  
needs of the power market by increasing the size of  
the bottom source pad, thereby enhancing the  
thermal and electrical performance. The lid of the  
package is grounded to the source to reduce RF  
interference.  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRFE330  
400V  
1.0Ω  
3.0A  
Features:  
n Hermetically Sealed  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Small footprint  
n Surface Mount  
n Lightweight  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablished advantages of MOSFETs, such as volt-  
age control, very fast switching, ease of paralleling  
and electrical parameter temperature stability.They  
are well-suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers and high-energy pulse circuits, and  
virtually any application where high reliability is re-  
quired.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
IRFE330, JANTX-, JANTXV-, 2N6800U Units  
I
D
@ V  
= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
3.0  
GS  
C
A
I
D
@ V  
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
2.0  
12  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.20  
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
GS  
E
AS  
dv/dt  
0.51  
8.4  
mJ  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
300 ( for 5 seconds)  
0.42 (typical)  
Surface Temperature  
Weight  
www.irf.com  
1
3/25/98  
12345678

中文翻译

下载PDF

JANTXV2N6800U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6800U INFINEON

完全替代

 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

与JANTXV2N6800U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTXV2N6802 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.5A)
JANTXV2N6802 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6802E3 MICROSEMI

获取价格

 		N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JANTXV2N6802U INFINEON

获取价格

 		HEXFET TRANSISTOR
JANTXV2N6804 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-11A)
JANTXV2N6806 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
JANTXV2N6845 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-4.0A)
JANTXV2N6845U INFINEON

获取价格

 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a 18-pin LCC package - A JANTXV2N6845U with Hermet
JANTXV2N6847 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-2.5A)
JANTXV2N6847U INFINEON

获取价格

 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

与JANTXV2N6800U相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证