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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANTXV2N6792
JANTXV2N6792 PDF预览

JANTXV2N6792

更新时间： 2024-01-04 21:23:44
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 204K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.0A)

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JANTXV2N6792 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：CHIP CARRIER, R-CQCC-N15针数：18
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：0.185 mJ
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：2.07 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N15元件数量：1
端子数量：15工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.2 A认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/555表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANTXV2N6792 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.428B  
JANTX2N6792  
JANTXV2N6792  
[REF:MIL-PRF-19500/555]  
HEXFET® POWER MOSFET  
[GENERIC:IRFF320]  
N-CHANNEL  
400 Volt, 1.8Ω HEXFET  
Product Summary  
Part Number  
JANTX2N6792  
JANTXV2N6792  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transis-  
tors. The efficient geometry achieves very low on-  
state resistance combined with high transconductance.  
2.0A  
400V  
1.8Ω  
HEXFET transistors also feature all of the well-es-  
tablish advantages of MOSFETs, such as voltage  
control, very fast switching, ease of paralleling and  
electrical parameter temperature stability. They are  
well-suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers, and high energy pulse circuits, and virtu-  
ally any application where high reliability is required.  
Features:  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
JANTX2N6792, JANTXV2N6792 Units  
I
D
@ V  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
2.0  
GS  
C
A
I
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.25  
8.0  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
DM  
@ T = 25°C  
P
20  
W
W/K ➄  
V
D
C
0.16  
V
GS  
dv/dt  
±20  
4.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
(0.063 in. (1.6mm) from  
300  
oC  
g
case for 10.5 seconds)  
0.98 (typical)  
Weight  
To Order  
 
 
123456

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