IRF2804SPBF

更新时间： 2024-10-29 22:41:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管 PC
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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF2804SPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	6.9
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	667027	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	D2PAK	Samacsys Released Date：	2018-12-14 13:48:53
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IRF2804SPBF 数据手册

PD - 95332A

IRF2804PbF

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF2804SPbF

IRF2804LPbF

Features

HEXFET^®Power MOSFET

Advanced Process Technology

UltraLowOn-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Lead-Free

V_DSS= 40V

R_DS(on)= 2.0mΩ

I_D= 75A

Description

SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,

this HEXFET^®Power MOSFET utilizes the latest

processing techniques to achieve extremely low

on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures

of this design are a 175°C junction operating

temperature, fast switching speed and improved

repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-

bine to make this design an extremely efficient

andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-

tions and a wide variety of other applications.

D²Pak

IRF2804SPbF IRF2804LPbF

TO-262

TO-220AB

IRF2804PbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

270

190

Units

@ T_C= 25°C

@ T_C= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (See Fig. 9)

(Package Limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

1080

300

Pulsed Drain Current

@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

2.0

± 20

W/°C

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

540

1160

_AS(tested)

Avalanche Current

I_AR

E_AR

See Fig.12a,12b,15,16

Repetitive Avalanche Energy

°C

Operating Junction and

-55 to + 175

Storage Temperature Range

STG

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

0.50

–––

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

0.50

–––

Junction-to-Ambient

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

HEXFET^®is a registered trademark of International Rectifier.

www.irf.com

08/25/05

12 3 4 5 6 7...12

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IRF2804SPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF2804STRRPBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFS3004PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET
IRF1404SPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET® Power MOSFET

与IRF2804SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF2804STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF2804STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF2805	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805L	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF2805PBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805S	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF2805SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF2805SPBF_15	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF2805STRLPBF	INFINEON	获取价格	Industrial Motor Drive

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