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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF2804L
IRF2804L PDF预览

IRF2804L

更新时间： 2024-11-30 22:48:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
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12页 276K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF2804L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：540 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：75 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：225
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1080 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF2804L 数据手册

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PD - 94436C  
IRF2804  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF2804S  
IRF2804L  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
D
VDSS = 40V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
‰
RDS(on) = 2.0mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
ID = 75A  
S
Description  
SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,  
this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low  
on-resistancepersiliconarea. Additionalfeatures  
of this design are a 175°C junction operating  
temperature, fast switching speed and improved  
repetitiveavalancherating. Thesefeaturescom-  
bine to make this design an extremely efficient  
andreliabledeviceforuseinAutomotiveapplica-  
tions and a wide variety of other applications.  
D2Pak  
IRF2804S  
TO-262  
IRF2804L  
TO-220AB  
IRF2804  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
280  
200  
75  
Units  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
D
D
D
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
1080  
330  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
2.2  
W/°C  
V
V
± 20  
GS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
670  
1160  
mJ  
E
AS (tested)  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
°C  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45  
–––  
62  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
°C/W  
JC  
CS  
JA  
JA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
08/27/03  
1234567...12

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