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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-204, 2 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-204 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/543 |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF150 | INFINEON |
完全替代  |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N6766 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JANTX2N6766 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A) |
|
| JANTX2N6766T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANTX2N6768 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.300ohm, Id=14A) |
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| JANTX2N6770 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500v, Rds(on)=0.40ohm, Id=12A) |
|
| JANTX2N6770 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
|
| JANTX2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JANTX2N6782 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=3.5A) |
|
| JANTX2N6782PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| JANTX2N6782TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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