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IRF150 PDF预览

IRF150

更新时间： 2024-01-28 01:43:42
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 153K
描述
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

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IRF150 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.081 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF150 数据手册

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PD - 90337G  
REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED  
HEXFET TRANSISTORS  
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)  
IRF150  
JANTX2N6764  
JANTXV2N6764  
[REF:MIL-PRF-19500/543]  
100V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRF150  
100V  
0.055Ω 38A  
The HEXFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance; superior re-  
verse energy and diode recovery dv/dt capability.  
TO-3  
The HEXFET transistors also feature all of the well estab-  
lished advantages of MOSFETs such as voltage control,  
very fast switching, ease of paralleling and temperature  
stability of the electrical parameters.  
Features:  
n Repetitive Avalanche Ratings  
n Dynamic dv/dt Rating  
n Hermetically Sealed  
n Simple Drive Requirements  
n EaseofParalleling  
They are well suited for applications such as switching  
power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio  
amplifiers and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
38  
D
GS  
C
A
I
D
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
24  
152  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/°C  
V
D
C
1.2  
V
GS  
Gate-to-SourceVoltage  
±20  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
AS  
I
38  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
T
STG  
StorageTemperature Range  
oC  
g
LeadTemperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
11.5 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
08/21/01  
1234567

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IRF150 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N6764 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A)
IRF150 SEME-LAB

类似代替

 N-CHANNEL POWER MOSFET
NTE2392 NTE

功能相似

 MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

与IRF150相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF150-153 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
IRF1503 INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1503L INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1503LPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF1503PBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1503S INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF1503SPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRF1503STRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRR INFINEON

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