是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.62 |
雪崩能效等级(Eas): | 150 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 38 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 152 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX2N6764 | INFINEON |
完全替代 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id=38A) | |
IRF150 | SEME-LAB |
类似代替 |
N-CHANNEL POWER MOSFET | |
NTE2392 | NTE |
功能相似 |
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF150-153 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V | |
IRF1503 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRF1503L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF1503LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF1503PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET | |
IRF1503S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF1503SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF1503STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1503STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRF1503STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |