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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF1503PBF
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IRF1503PBF

更新时间： 2024-01-01 02:03:54
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
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9页 165K
描述
AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF1503PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.65
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：980 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：960 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1503PBF 数据手册

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PD-95438  
IRF1503PbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
Typical Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
O
O
O
14V Automotive Electrical Systems  
14V Electronic Power Steering  
Lead-Free  
D
VDSS = 30V  
Features  
R
DS(on) = 3.3mΩ  
O
O
O
O
O
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
G
ID = 75A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this  
design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the lastest  
processing techniques to achieve extremely low on-  
resistance per silicon area. Additional features of this  
HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating  
temperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive  
avalanche rating. These combine to make this design an  
extremelyefficientandreliabledeviceforuseinAutomotive  
applications and a wide variety of other applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
240  
170  
75  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
ID @ TC = 25°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig.9)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package limited)  
Pulsed Drain Current   
A
960  
330  
2.2  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
510  
980  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value†  
Avalanche Current  
mJ  
EAS (tested)  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
Repetitive Avalanche Energyꢀ  
Operating Junction and  
mJ  
TJ  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.45  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
06/22/04  
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