IRF1503

更新时间： 2024-11-23 21:54:55

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AUTOMOTIVE MOSFET

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IRF1503 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	980 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	960 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF1503 数据手册

PD-94526A

AUTOMOTIVE MOSFET

IRF1503

HEXFET^®Power MOSFET

Typical Applications

●

14V Automotive Electrical Systems

14V Electronic Power Steering

●

V_DSS= 30V

Features

●

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

R_DS(on)= 3.3mΩ

I_D= 75A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this

design of HEXFET^®Power MOSFETs utilizes the lastest

processing techniques to achieve extremely low on-

resistance per silicon area. Additional features of this

HEXFET power MOSFET are a 175°C junction operating

temperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive

avalanche rating. These combine to make this design an

extremelyefficientandreliabledeviceforuseinAutomotive

applications and a wide variety of other applications.

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

240

170

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (See Fig.9)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package limited)

Pulsed Drain Current

960

330

2.2

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

V_GS

Gate-to-Source Voltage

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

510

980

E_AS(tested)

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

Repetitive Avalanche Energyꢀ

Operating Junction and

T_J

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

0.50

–––

Max.

0.45

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

°C/W

www.irf.com

12/11/02

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRF1503LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1503PBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1503S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1503SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1503STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF150CF	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3

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