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IRF151

更新时间: 2024-11-20 20:27:55
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威世 - VISHAY /
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1页 107K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204

IRF151 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):40 A最大漏源导通电阻:0.055 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-204
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF151 数据手册

  

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