5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF151CHIP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP |
|
| IRF151R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-204AE |
|
| IRF152 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V |
|
| IRF152 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF152 | IXYS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE |
|
| IRF152 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| IRF1520G | ETC |
获取价格 |
|
|
| IRF15210 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220FP |
|
| IRF152PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF152R | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
