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IRF153

更新时间: 2024-11-19 22:48:07
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IXYS 高压高电压电源
页数 文件大小 规格书
1页 49K
描述
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF153 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):33 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IRF153 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0075ohm, Id=