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IRF1704PBF PDF预览

IRF1704PBF

更新时间： 2024-09-13 20:08:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 98K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

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IRF1704PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：670 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：170 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：230 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：680 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1704PBF 数据手册

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PD -94012C  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRF1704  
HEXFET® Power MOSFET  
Benefits  
l 200°C Operaing Temperature  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Repetitive Avalanche Allowed  
up to Tj Max  
l Automotive Qualified (Q101)  
Description  
D
VDSS = 40V  
RDS(on) = 0.004Ω  
G
ID = 170A†  
S
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® power  
MOSFET has a 200°C max operating temperature with a Stripe Planar  
design that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power  
MOSFET are fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.  
The continuing technology leadership of Internationl Rectifier provides 200°C  
operating temperature in a plastic package. At high ambient temperatures, the  
IRF1704 can carryupto 20%morecurrentthansimilar 175°CTjmax devices  
in the same package outline. This makes this part ideal for existing and  
emerging under-the-hood automotive applications such as Electric Power  
Steering (EPS), Fuel / Water Pump Control and wide variety of other  
applications.  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
170†  
120  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
680  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
230  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.3  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
670  
mJ  
A
100  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
23  
mJ  
V/ns  
1.9  
-55 to + 200  
TSTG  
TLEAD  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature‡  
°C  
°C  
175  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.75  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
05/08/02  
12345678

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与IRF1704PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1730G INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.7A)
IRF-18.2+/-10% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 8.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL L
IRF-18.210% VISHAY

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 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 8.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
IRF-18.2UH+-5%ERE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-18.2UH+-5%ESE2 VISHAY

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 		General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-18.2UH+-5%EVE2 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 8.2uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-182+/-10% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LE
IRF-1820UH+-10%RJ4 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 820uH, 10%, Ferrite-Core,
IRF-1820UH+-5%RJ1 VISHAY

获取价格

 		General Purpose Inductor, 820uH, 5%, Ferrite-Core,
IRF-18210% VISHAY

获取价格

 		General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 82 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR

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