IRF1503LPBF

更新时间： 2024-11-04 04:23:15

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HEXFET Power MOSFET

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IRF1503LPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.64	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRF1503LPBF 数据手册

PD - 95432

IRF1503SPbF

IRF1503LPbF

Typical Applications

HEXFET^®Power MOSFET

14V Automotive Electrical Systems

14V Electronic Power Steering

Lead-Free

V_DSS= 30V

Benefits

_DS(on)= 3.3mΩ

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

175°COperatingTemperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

I_D= 75A

Description

Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar

design of HEXFET^®Power MOSFETs utilizes the lastest processing

techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Additional features of this HEXFET power MOSFET are a 175°C

junction operating temperature, fast switching speed and improved

repetitive avalanche rating. These benefits combine to make this

design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive

applications and a wide variety of other applications.

D²Pak

IRF1503S

TO-262

IRF1503L

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_D@ T_C= 25°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Silicon limited)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (See Fig.9)

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package limited)

Pulsed Drain Current

190

130

960

200

1.3

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

W/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy Tested Value

Avalanche Current

510

980

E_AS(tested)

I_AR

See Fig.12a, 12b, 15, 16

E_AR

Repetitive Avalanche Energyꢀ

Operating Junction and

°C

T_J

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 screw

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.75

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

0.50

–––

°C/W

www.irf.com

06/21/04

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF1503PBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1503S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1503SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF1503STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1503STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF150CF	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3
IRF150CHP	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF150EAPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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