NTE2392

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	30K
描述
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch

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NTE2392 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.58	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	32 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	150 W	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	225 ns	最大开启时间（吨）：	135 ns
Base Number Matches：	1

NTE2392 数据手册

NTE2392

MOSFET

N–Channel Enhancement Mode,

High Speed Switch

Description:

The NTE2392 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor. Easy drive

and very fast switching times make this device ideal for high speed switching applications. Typical

applications include switching mode power supplies, uninterruptible power supplies, and motor

speed control.

Features:

D Fast Switching

D Low Drive Current

D Ease of Paralleling

D No Second Breakdown

D Excellent Temperature Stability

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage (Note 1), V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 20kΩ, Note 1), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Pulsed Drain Current (Note 3), I_DM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

Clamped Inductive Current (L = 100µH), I_LM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A

Continuous Drain Current, I_D

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Total Dissipation (T_C= +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 0.063 in. (1.6mm) from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . +300°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.83°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Note 4), R_thCS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1°C/W

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30°C/W

Note 1. T_J= +25° to +150°C

Note 2. Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

Note 3. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 4. Mounting surface flat, smooth, and greased.

12 3

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NTE2392 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6764	INFINEON	类似代替	TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)
2N6764E3	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF150	INTERSIL	功能相似	40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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NTE2396	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
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