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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.08 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 152 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF150 | INFINEON |
类似代替  |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF150-153 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V |
|
| IRF1503 | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF1503L | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1503LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1503PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
|
| IRF1503S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1503SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1503STRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1503STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1503STRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
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