JAN2N6353

更新时间： 2024-11-03 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N6353 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-33
包装说明：	TO-24, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/472B	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

JAN2N6353 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 472

Devices

Qualified Level

JAN

2N6350

2N6351

2N6352

2N6353

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N6350 2N6351

2N6352 2N6353

Symbol

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

150

Vdc

V_CER

V_CBO

150

6.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

Vdc

Adc

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_EBO

I_B

Collector Current

I_C

2N6350, 2N6351

TO-33*

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

1.0⁽²⁾

5.0⁽³⁾

2.0⁽⁴⁾

25⁽⁵⁾

⁰C

P_T

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

⁰C/W

qJC

1) Applies for t_p£ 10 ms, Duty cycle £ 50%

2N6352, 2N6353

TO-24* (TO-213AA)

2) Derate linearly @ 5.72 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

3) Derate linearly @ 50 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

4) Derate linearly @ 11.4 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

5) Derate linearly @ 250 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

Vdc

I_C= 25 mAdc, R_B1E= 2.2 kW, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_(BR)

CER

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

JAN2N6353 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6353	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6353	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6353	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N6353相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6378	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N6379	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3
JAN2N6383	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6384	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6385	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6437	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N6438	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N650A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5
JAN2N651A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5
JAN2N652A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5

与JAN2N6353相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

7
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

30

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N6353

JAN2N6353 技术参数

JAN2N6353 数据手册

JAN2N6353 替代型号

与JAN2N6353相关器件

与JAN2N6353相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N6353

JAN2N6353 技术参数

JAN2N6353 数据手册

JAN2N6353 替代型号

与JAN2N6353相关器件

与JAN2N6353相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？