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JAN2N6546

更新时间： 2024-02-02 01:09:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	59K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6546 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.17
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/525C	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JAN2N6546 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 525

Devices

Qualified Level

JAN

2N6546

2N6547

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

2N6546 2N6547

Ratings

Symbol

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

300

600

400

850

V_CEO

V_CEX

V_EBO

I_B

Vdc

Adc

Collector Current

175

100

Adc

⁰C

I_C

Total Power Dissipation

@ T_C= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +100⁰C ⁽¹⁾

P_T

Operating & Storage Temperature Range

TO-3 (TO-204AA)*

-65 to +200

T_op,

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1) Between T_C= +25⁰C and T_C= +200⁰C, linear derating factor (average) = 1.0 W/⁰C

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

1.0

qJC

*See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Vdc

2N6546

2N6547

V_(BR)

300

400

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 600 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 850 Vdc; V_BE= 1.5 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 8 Vdc

2N6546

2N6547

mAdc

I_CEX

1.0

I_EBO

1.0

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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与JAN2N6546相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6547	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6603	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
JAN2N6604	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
JAN2N6648	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6649	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
JAN2N665	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-3
JAN2N6650	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6660	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-39
JAN2N6660B	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JAN2N6660B	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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