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JAN2N6661

更新时间： 2024-01-14 03:53:37
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
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17页 78K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39

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JAN2N6661 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.82
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：90 V
最大漏极电流 (ID)：0.86 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：10 pF
JEDEC-95代码：TO-205ADJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：MILITARY STANDARD (USA)表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

JAN2N6661 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this revision  
shall be completed by 30 October 1999  
INCH-POUND  
MIL-PRF-19500/547B  
30 July 1999  
SUPERSEDING  
MIL-S-19500/547A  
20 January 1988  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL,  
SILICON TYPES 2N6660 AND 2N6661  
JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for a N-channel, enhancement-mode, low-threshold logic level,  
high frequency, high switching speed MOSFET, power transistor. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated  
device type as specified in MIL-PRF-19500.  
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-205AD).  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25°C.  
A
Type  
P
T
1/  
P
T
V
DS  
V
DGR  
V
GS  
I
2/  
I
2/  
I
S
I
T and  
J
D1  
D2  
DM  
T
T
= +25°C  
T
= +25°C  
T
= +25°C  
T = +100°C  
C
STG  
C
A
C
3/  
W
mW  
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
A dc  
A(pk)  
°C  
-65 to +150  
2N6660  
2N6661  
6.25  
6.25  
725  
725  
60  
90  
60  
90  
0.99  
0.86  
0.62  
0.54  
-0.99  
-0.86  
3
3
± 20  
± 20  
1/ Derate linearly 0.05 W/°C for T > +25°C  
C
P(rated)  
2/ Derate above T = +25 °C according to the formula  
C
ID  
=
K
where P(rated) = 150 - (T -25) (0.05) watts;  
C
K = max r  
at T =+150°C.  
J
DS(on)  
3/ R  
£ 1 M ohm.  
GS  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this document  
should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAC, 3990 East Broad St., Columbus, OH  
43216-5000, by using the addressed Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end of this  
document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...17

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与JAN2N6661相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N6661B TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JAN2N6674 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA
JAN2N6675 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA
JAN2N6676 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6676T1 MICROSEMI

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 		Transistor
JAN2N6678 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6678T1 MICROSEMI

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 		Transistor
JAN2N6689 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC
JAN2N6690 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC
JAN2N6691 MICROSEMI

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