5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 90 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.86 A | 最大漏源导通电阻： | 4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6674 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
|
| JAN2N6675 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
|
| JAN2N6676 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6676T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
|
| JAN2N6678 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6678T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
|
| JAN2N6689 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
|
| JAN2N6690 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
|
| JAN2N6691 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6693 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
