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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CERAMIC, LCC-18/15 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILTY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.35 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N15 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 15 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500 |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6790 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6790U | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JAN2N6792 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6794 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6796 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6796E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6798 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6798E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6800 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6800E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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