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JAN2N6800

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JAN2N6800 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.18
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A最大漏极电流 (ID):3 A
最大漏源导通电阻:1.1 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):25 W最大脉冲漏极电流 (IDM):14 A
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JAN2N6800 数据手册

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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