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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N691 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 700V V(DRM), 700V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208 |
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| JAN2N691E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| JAN2N692 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208 |
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| JAN2N696 | MICROSEMI |
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NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N696S | MICROSEMI |
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NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N697 | MICROSEMI |
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NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N697S | MICROSEMI |
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NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
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| JAN2N6987 | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| JAN2N6987 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
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| JAN2N6987U | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LLCC |
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