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JAN2N6802E3

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JAN2N6802E3 数据手册

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与JAN2N6802E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N6804 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA
JAN2N6806 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA
JAN2N682E3 MICROSEMI

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Silicon Controlled Rectifier, SCR
JAN2N6849U MICROSEMI

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Power Field-Effect Transistor,
JAN2N686 MICROSEMI

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Silicon Controlled Rectifier, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JAN2N688 MICROSEMI

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Silicon Controlled Rectifier, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JAN2N688E3 MICROSEMI

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Silicon Controlled Rectifier, SCR
JAN2N689 MICROSEMI

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Silicon Controlled Rectifier, 500V V(DRM), 500V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208
JAN2N6896 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA
JAN2N6898 ETC

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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE