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JAN2N6987

更新时间： 2024-09-13 20:17:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,

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JAN2N6987 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
针数：	14	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-116
JESD-30 代码：	R-XDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/558D	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N6987 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N6987 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N6987	MICROSEMI	类似代替	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
JANS2N6987	MICROSEMI	功能相似	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass
JANTX2N6987	RAYTHEON	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,

与JAN2N6987相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6987U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 60V V(BR)CEO \| 600MA I(C) \| LLCC
JAN2N6988	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, PNP, Silicon, TO-86,
JAN2N6988	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14
JAN2N6989	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JAN2N6989U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 50V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-116
JAN2N6990	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 4-Element, NPN, Silicon, TO-86,
JAN2N6990U	ETC	获取价格	BJT
JAN2N705	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 15V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-18
JAN2N718A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N720A	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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