2N6987

更新时间： 2024-02-24 16:56:45

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关晶体管功率双极晶体管
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2页	62K
描述
MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N6987 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-116
JESD-30 代码：	R-XDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	14
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6987 数据手册

TECHNICAL DATA

MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 558

Devices

Qualified Level

JAN

2N6987

2N6987U

JANTX

JANTXV

JANS

2N6988

MAXIMUM RATINGS ⁽¹⁾

Ratings

Symbol

Value

Units

Vdc

Collector-Emitter Voltage ⁽⁴⁾

Collector-Base Voltage ⁽⁴⁾

Emitter-Base Voltage ⁽⁴⁾

Collector Current

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

2N6987*

TO- 116

Vdc

5.0

Vdc

600

mAdc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C

2N6987 ⁽²⁾

1.5

1.0

0.4

⁰C

P_T

2N6987U ⁽²⁾

2N6988 ⁽³⁾

2N6987U*

20 PIN LEADLESS

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_op_,T

stg

1) Maximum voltage between transistors shall be ³ 500 Vdc

2) Derate linearly 8.57 mW/⁰C above T_A= +25⁰C

3) Derate linearly 2.286 mW/⁰C above T_A= +25⁰C.

4) Ratings apply to each transistor in the array.

2N6988*

14 PIN FLAT PACK

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 60 Vdc

Symbol

V_(BR)CEO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Vdc

mAdc

hAdc

V_CB= 50 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_BE= 5.0 Vdc

V_EB= 3.5 Vdc

mAdc

hAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N6987 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6987	MICROSEMI	完全替代	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,
JANTX2N6987	MICROSEMI	完全替代	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,
JAN2N6987	MICROSEMI	类似代替	Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116,

与2N6987相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6987_02	SEMICOA	获取价格	Silicon PNP Transistor
2N6987JAN	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987JANS	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987JANTX	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987JANTXV	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987U	TTELEC	获取价格	Surface Mount Quad PNP Transistor
2N6987U	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987UJAN	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987UJANS	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
2N6987UJANTX	MICROSEMI	获取价格	MULTIPLE PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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