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JAN2N7225

更新时间: 2024-11-05 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 950K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/592

JAN2N7225 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-254AA包装说明:FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.28Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):27.4 A最大漏极电流 (ID):27.4 A
最大漏源导通电阻:0.105 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-254AAJESD-30 代码:S-CSFM-P3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):110 A认证状态:Qualified
参考标准:MIL-19500子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

JAN2N7225 数据手册

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Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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