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JAN2N7236U

更新时间: 2024-11-06 15:46:03
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美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 446K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AB, SMD-1, U-PKG-3

JAN2N7236U 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-267AB
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.21
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):500 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.22 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-267ABJESD-30 代码:R-PDSO-N3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):72 A
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/595
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JAN2N7236U 数据手册

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