Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> JAN2N918UB

JAN2N918UB

更新时间： 2024-11-28 12:03:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N918UB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/301H
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

JAN2N918UB 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/301

DEVICES

LEVELS

JAN

2N918

2N918UB

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

°C

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

200

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op& T_stg

-65 to +200

TO-72

2N918

Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above T_A> 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 3mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30Vdc

µAdc

ηAdc

µAdc

1.0

I_CBO

_CB= 25Vdc

_CB= 25Vdc; T_A= +150°C

3 PIN

2N918UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

V_EB= 2.5Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 10Vdc

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc

I_C= 10mAdc, V_CE= 10Vdc

h_FE

200

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc; T_A= -55°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.4

1.0

Vdc

Base-Emitter Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)

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JAN2N918UB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N918UB	MICROSEMI	类似代替	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-18
JAN2N930UB	ETC	获取价格	BJT
JAN3890AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3891A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3891AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3893A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3893AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3FF05	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2 P
JAN3FF10	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2
JAN3FF15	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 150V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2

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