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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.36 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 认证状态： | Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N7335 | MICROSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| JAN2N7368 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
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| JAN2N7369 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-254 |
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| JAN2N7370 | MICROSEMI |
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NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N7371 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N7372 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-254AA, Metal, |
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| JAN2N7373 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-254AA |
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| JAN2N7434 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| JAN2N7484 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| JAN2N918 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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