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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.27 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-206AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 0.3 W | 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MILITARY STANDARD (USA) |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N918UB | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N930 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18 |
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| JAN2N930UB | ETC |
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BJT |
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| JAN3890AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN3891A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN3891AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN3893A | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN3893AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| JAN3FF05 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2 P |
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| JAN3FF10 | SEMTECH |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2 |
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