JAN2N918

更新时间： 2024-11-28 12:03:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管放大器
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4页	186K
描述
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N918 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	TO-72, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	3 pF
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Qualified
参考标准：	MIL-19500/301H	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

JAN2N918 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http://www.microsemi.com

Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland

Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/301

DEVICES

LEVELS

JAN

2N918

2N918UB

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Value

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

mAdc

°C

Collector-Base Voltage

3.0

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation @ T_A= +25°C ⁽¹⁾

P_T

200

Operating & Storage Junction Temperature Range

T_op& T_stg

-65 to +200

TO-72

2N918

Note: 1) Derate linearly 1.14mW/°C above T_A> 25°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

OFF CHARACTERTICS

Symbol

Min.

Max.

Unit

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 3mAdc

V_(BR)CEO

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 30Vdc

µAdc

ηAdc

µAdc

1.0

I_CBO

_CB= 25Vdc

_CB= 25Vdc; T_A= +150°C

3 PIN

2N918UB

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 3.0Vdc

V_EB= 2.5Vdc

µAdc

ηAdc

I_EBO

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 0.5mAdc, V_CE= 10Vdc

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc

I_C= 10mAdc, V_CE= 10Vdc

h_FE

200

I_C= 3.0mAdc, V_CE= 1.0Vdc; T_A= -55°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.4

1.0

Vdc

Base-Emitter Voltage

I_C= 10mAdc, I_B= 1.0mAdc

T4-LDS-0010 Rev. 3 (101342)

Page 1 of 4

12 3 4

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JAN2N918 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BFS17P	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 1GHz at collector currents from
BFR93AW	INFINEON	功能相似	NPN Silicon RF Transistor (For low distortion broadband amplifiers and oscillators up to 2

与JAN2N918相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N918UB	MICROSEMI	获取价格	NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N930	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 45V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| TO-18
JAN2N930UB	ETC	获取价格	BJT
JAN3890AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3891A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3891AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3893A	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3893AR	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
JAN3FF05	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2 P
JAN3FF10	SEMTECH	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.3A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G102, 2

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