5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFM9140
IRFM9140 PDF预览

IRFM9140

更新时间： 2024-01-10 18:43:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 215K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFM9140 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：150 ns最大开启时间（吨）：120 ns
Base Number Matches：1

IRFM9140 数据手册

 浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFM9140的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 90495G  
IRFM9140  
JANTX2N7236  
JANTXV2N7236  
JANS2N7236  
REF:MIL-PRF-19500/595  
100V, P-CHANNEL  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
Product Summary  
Part Number RDS(on) ID  
HEXFET® MOSFETTECHNOLOGY  
IRFM9140  
0.20Ω -18A  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state resis-  
tance combined with high transconductance. HEXFET tran-  
sistors also feature all of the well-established advantages  
of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,  
ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-18  
-11  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-72  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
125  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
1.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
500  
mJ  
A
AS  
I
-18  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
12.5  
-5.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (typical)  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/22/03  
1234567

中文翻译

下载PDF

IRFM9140 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N7236 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
JANS2N7236 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
2N7236 MICROSEMI

功能相似

 P-CHANNEL MOSFET

与IRFM9140相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM9140A INFINEON

获取价格

 		-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package -
IRFM9140D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254VAR
IRFM9140PBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFM9140U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-254VAR
IRFM9230 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254AA
IRFM9230PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.81ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFM9240 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM9240 NJSEMI

获取价格

 		Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
IRFM9240D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR
IRFM9240DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IRFM9140相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证