5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-GDIP-T14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.22 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-PRF-19500/558 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV2N6987 | MICROSEMI |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
|
| JANTX2N6987 | MICROSEMI |
功能相似 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, TO-116, |
|
| 2N6987 | MICROSEMI |
功能相似 |
MULTIPLE (QUAD) PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANS2N6987/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass |
|
| JANS2N6987U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, LCC-20 |
|
| JANS2N6988 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, FP-14 |
|
| JANS2N6989 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
|
| JANS2N6989U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-116 |
|
| JANS2N6990 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | FP |
|
| JANS2N7224 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| JANS2N7225 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N7227 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JANS2N7228 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
