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IRFF330

更新时间： 2024-11-19 14:56:11

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英飞凌 - INFINEON		/
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7页	1172K
描述
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF330 with Hermetic Packaging

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IRFF330 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.1	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	0.51 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	1.15 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFF330 数据手册

PD-90432E

IRFF330

JANTX2N6800

JANTXV2N6800

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED

HEXFET^®TRANSISTORS

400V, N-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/557

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

I_D

IRFF330

400V

3.0A

1.0

TO-39

Description

Features

The HEXFET^®technology is the key to International

Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest

“State of the Art” design achieves: very low on state

resistance combined with high trans conductance.

 Repetitive Avalanche Ratings

 Dynamic dv/dt Rating

 Hermetically Sealed

 Simple Drive Requirements

 ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,

Method 1020

The HEXFET transistors also feature all of the well

established advantages of MOSFETs such as voltage

control, very fast switching and temperature stability of the

electrical parameters.

They are well suited for applications such as switching power

supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers

and high energy pulse circuits.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Value

Parameter

Units

I_D1@ V_GS= 10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D2@ V_GS= 10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

3.0

2.0

I_DM@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 25°C

Pulsed Drain Current 

W/°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.20

± 20

191

V_GS

E_AS

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

I_AR

E_AR

Avalanche Current 

3.0

2.5

4.0

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

dv/dt

T_J

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2018-11-20

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7

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IRFF330 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6800	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)
JANTX2N6800	INFINEON	完全替代	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)
2N6800	INFINEON	类似代替	400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi

与IRFF330相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFF330R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF331	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFF331R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3.5A I(D) \| TO-205AF
IRFF332	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF332R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF333R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-205AF
IRFF420	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFF420	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF420 with Hermetic Packag
IRFF420	INTERSIL	获取价格	1.6A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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