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IRFF330

更新时间： 2023-12-06 20:12:15
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 1172K
描述
400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF330 with Hermetic Packaging

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IRFF330 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.1Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：0.51 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：1.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFF330 数据手册

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PD-90432E  
IRFF330  
JANTX2N6800  
JANTXV2N6800  
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED  
HEXFET® TRANSISTORS  
400V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/557  
THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)  
Product Summary  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
IRFF330  
400V  
3.0A  
1.0  
Description  
Features  
The HEXFET® technology is the key to International  
Rectifier’s HiRel advanced line of power MOSFET transistors.  
The efficient geometry and unique processing of this latest  
“State of the Art” design achieves: very low on state  
resistance combined with high trans conductance.  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Hermetically Sealed  
Simple Drive Requirements  
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,  
Method 1020  
The HEXFET transistors also feature all of the well  
established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, very fast switching and temperature stability of the  
electrical parameters.  
They are well suited for applications such as switching power  
supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers  
and high energy pulse circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = 10V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = 10V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
3.0  
A
2.0  
12  
IDM @ TC = 25°C  
PD @ TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
W
W/°C  
V
Maximum Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
25  
0.20  
± 20  
191  
VGS  
EAS  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
mJ  
A
IAR  
EAR  
Avalanche Current   
3.0  
2.5  
4.0  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
dv/dt  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
Weight  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
For Footnotes, refer to the page 2.  
1
2018-11-20  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
1234567

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IRFF330 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N6800 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)
JANTX2N6800 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=3.0A)
2N6800 INFINEON

类似代替

 400V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6800 with Hermetic Packagi

与IRFF330相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFF330R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF331 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRFF331R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRFF332 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
IRFF332R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
IRFF333 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF
IRFF333R ETC

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IRFF420 SEME-LAB

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 		N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFF420 INFINEON

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 		500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF420 with Hermetic Packag
IRFF420 INTERSIL

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 		1.6A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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